GeTe合金作为中温区极具潜力的热电材料,因其优异的热电性能而备受关注。本研究采用真空熔炼结合热压烧结工艺,成功制备出Ge0.8-xMn0.1Pb0.1BixTe系列合金。结果表明,Bi元素的引入显著降低了合金的载流子浓度,进而增加了塞贝克系数。随着Bi掺杂浓度的增加,合金的晶体结构由菱面体相逐渐转变为立方相。同时,Bi的引入加剧了GeTe合金内部的晶格畸变,增强了声子散射,降低了晶格热导率,且由于电阻率的升高,电子热导率显著降低。在773 K时,Ge0.78Mn0.1Pb0.1Bi0.02Te合金的热导率降低至1.34 W/(m·K)。最终,该合金在中低温下的热电优值得到提高,同时在高温区保持了较高的热电优值,从而获得了高达0.80的平均热电优值。