管式PECVD工艺对氮化硅薄膜折射率的影响

doi:10.3976/j.issn.1002-4026.2012.03.012

J4 ›› 2012, Vol. 25 ›› Issue (3): 58-61.doi: 10.3976/j.issn.1002-4026.2012.03.012

管式PECVD工艺对氮化硅薄膜折射率的影响

任现坤¹,马玉英²,张黎明¹,刘鹏¹,姜言森¹,徐振华¹,贾河顺¹,程亮¹,张春艳¹

1.山东力诺太阳能电力股份有限公司，山东济南 250103； 2.山东凯文科技职业学院，山东济南 250200

收稿日期:2012-03-27 出版日期:2012-06-20 发布日期:2012-06-20
作者简介:任现坤（1986-），男，助理工程师，主要研究方向为太阳能电池技术。Email：renxiankun@yeah.net
基金资助:
国家高技术研究与发展计划（863计划）重点项目（2012AA050303、2011AA050504）；山东省自主创新成果项目（2010ZHZX1A0702、2011ZHZX1A0701）

Impact of tube PECVD process on the refracitve index of silicon nitride thin film

REN Xian-Kun¹, MA Yu-Ying², ZHANG Li-Ming¹, LIU Peng¹, JIANG Yan-Sen¹, XU Zhen-Hua¹, JIA He-Shun¹, CHENG Liang¹, ZHANG Chun-Yan¹

1.Shandong Linuo Solar Power Holdings Co. Ltd., Jinan 250103, China;
2.Shandong Kaiwen Vocational College of Science and Technology, Jinan 250200, China

Received:2012-03-27 Online:2012-06-20 Published:2012-06-20

摘要/Abstract

摘要：

折射率是反映薄膜成分以及致密性的重要指标, 是检验薄膜制备质量的重要参数，其变化直接影响太阳能电池的转化效率。本文研究了不同射频功率、腔体压强、衬底温度以及硅烷和氨气配比等沉积条件对在太阳能电池上沉积的氮化硅薄膜折射率的影响，分析了氮化硅薄膜折射率随各沉积条件变化的原因。

关键词: 折射率, 致密性, 转化效率, 氮化硅, 等离子增强型化学气相沉积（PECVD）

Abstract:

Refraction index is an important parameter reflecting film composition and density. It also reflects preparation quality of thin film, which directly affects the transformation efficiency of a solar cell. This paper investigated the impact of radio frequency power, chamber pressure, substrate temperature and the ratio of saline and ammonia on the refraction index of silicon nitride thin film deposited on a c-Si solar cell. We analyze the reason that refractive index of azotized silicon thin film changes with different deposition conditions.

Key words: refractive index, densification, conversion efficiency, Silicon nitride, PECVD

中图分类号:

O484.4⁺1

任现坤,马玉英,张黎明,刘鹏,姜言森,徐振华,贾河顺,程亮,张春艳. 管式PECVD工艺对氮化硅薄膜折射率的影响[J]. J4, 2012, 25(3): 58-61.

REN Xian-Kun, MA Yu-Ying, ZHANG Li-Ming, LIU Peng, JIANG Yan-Sen, XU Zhen-Hua, JIA He-Shun, CHENG Liang, ZHANG Chun-Yan. Impact of tube PECVD process on the refracitve index of silicon nitride thin film[J]. J4, 2012, 25(3): 58-61.

管式PECVD工艺对氮化硅薄膜折射率的影响

Impact of tube PECVD process on the refracitve index of silicon nitride thin film

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