J4 ›› 2010, Vol. 23 ›› Issue (1): 28-31.
刘文军, 薛成山, 石锋, 庄惠照, 郭永福
LIU Wen-Jun, XUE Cheng-Shan, SHI Feng, ZHUANG Hui-Zhao, GUO Yong-Fu
摘要：
通过在1000 ℃下氨化锰掺杂Ga2O3薄膜制备了大量GaMnN纳米条。采用此法得到的剑状Mn掺杂GaN纳米条是六方纤锌矿结构，Mn的原子百分比是5.43%，纳米条的厚度大约为100 nm，宽度为200～400 nm。Ｘ射线衍射(XRD)、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、选区电子衍射（SAED）、Ｘ射线光电子能谱（XPS）和荧光分光光度计（PL）用于表征所制备纳米条形貌及光学性质。室温下以325 NM波长的光激发样品表面，发现由于Mn的掺杂使GaN的发光峰有较大的红移。最后，简单讨论了GaN纳米条的生长机制
中图分类号:
TN304.23
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