Mn掺杂GaN纳米条的制备和性质的研究

J4 ›› 2010, Vol. 23 ›› Issue (1): 28-31.

Mn掺杂GaN纳米条的制备和性质的研究

刘文军, 薛成山, 石锋, 庄惠照, 郭永福

山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所

收稿日期:2009-11-20 出版日期:2010-02-20 发布日期:2010-02-20
基金资助:
国家自然科学基金（90201025，90301002）

Fabrication, Morphology and Optical Properties of Mn-Doped GaN Nanobars

LIU Wen-Jun, XUE Cheng-Shan, SHI Feng, ZHUANG Hui-Zhao, GUO Yong-Fu

Institute of Semiconductors, College of Physics and Electronics, Shandong Normal University

Received:2009-11-20 Online:2010-02-20 Published:2010-02-20

摘要/Abstract

摘要：

通过在1000 ℃下氨化锰掺杂Ga₂O₃薄膜制备了大量GaMnN纳米条。采用此法得到的剑状Mn掺杂GaN纳米条是六方纤锌矿结构，Mn的原子百分比是5.43%，纳米条的厚度大约为100 nm，宽度为200～400 nm。Ｘ射线衍射(XRD)、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、选区电子衍射（SAED）、Ｘ射线光电子能谱（XPS）和荧光分光光度计（PL）用于表征所制备纳米条形貌及光学性质。室温下以325 NM波长的光激发样品表面，发现由于Mn的掺杂使GaN的发光峰有较大的红移。最后，简单讨论了GaN纳米条的生长机制

关键词: GaN纳米条, Mn, 磁控溅射, 纳米结构

中图分类号:

TN304.23

刘文军, 薛成山, 石锋, 庄惠照, 郭永福. Mn掺杂GaN纳米条的制备和性质的研究[J]. J4, 2010, 23(1): 28-31.

LIU Wen-Jun, XUE Cheng-Shan, SHI Feng, ZHUANG Hui-Zhao, GUO Yong-Fu. Fabrication, Morphology and Optical Properties of Mn-Doped GaN Nanobars[J]. J4, 2010, 23(1): 28-31.