In团簇对InN光致发光特性的影响

doi:10.3976/j.issn.1002-4026.2012.03.011

J4 ›› 2012, Vol. 25 ›› Issue (3): 54-57.doi: 10.3976/j.issn.1002-4026.2012.03.011

In团簇对InN光致发光特性的影响

杨远玲¹,朱学亮²

1.山东师范大学附属中学，山东济南 250014； 2.中国科学院物理研究所，北京 100190

收稿日期:2012-04-10 出版日期:2012-06-20 发布日期:2012-06-20
作者简介:杨远玲（1979-），女，硕士，研究方向为中学物理教学及半导体光电材料的基本性质。Email:yangyuanling@126.com

he impact of indium clusters on the photoluminescence of InN

YANG Yuan-Ling¹, ZHU Xue-Liang²

1.High School Attached to Shandong Normal University, Jinan 250014, China;
2.Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China

Received:2012-04-10 Online:2012-06-20 Published:2012-06-20

摘要/Abstract

摘要：

通过光致发光方法研究了氮化铟(InN)材料的发光特性。实验发现，随着温度的变化，不同结构的InN样品的发光峰位置展现了不同的行为。在具有In团簇结构的样品中，其发光峰位置显示了反常的蓝移现象。这种发光峰能量的反常变化是由In团簇周围的界面态引起的。

关键词: 光致发光, 跃迁, X射线衍射, 氮化铟（InN）

Abstract:

We investigated the optical properties of InN films by photoluminescence. Experiments show that InN with different crystal structure exhibits different photoluminescence peaks at different temperature. The photoluminescence peaks show abnormal blue-shift phenomenon for the InN sample with indium clusters. The phenomenon is caused by the interface state between the InN and Indium clusters.

Key words: photoluminescence, transition, X-ray diffraction, InN

中图分类号:

O472⁺.3

杨远玲,朱学亮. In团簇对InN光致发光特性的影响[J]. J4, 2012, 25(3): 54-57.

YANG Yuan-Ling, ZHU Xue-Liang. he impact of indium clusters on the photoluminescence of InN[J]. J4, 2012, 25(3): 54-57.

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In团簇对InN光致发光特性的影响

he impact of indium clusters on the photoluminescence of InN

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