J4 ›› 2012, Vol. 25 ›› Issue (2): 67-71.doi: 10.3976/j.issn.1002-4026.2012.02.014
李庆刚1,罗庆丽2,王修春1,罗庆刚3
LI Qing-Gang1, LUO Qing-Li2, WANG Xiu-Chun1, LUO Qing-Gang3
摘要:
将无铬化学转化新工艺与射频等离子化学气相沉积(PECVD)技术相结合,先在镁合金表面生成一层多孔结构、附着力高的化学转化膜作为过渡层,再采用PECVD技术低温沉积一层硅掺杂类金刚石(Si-DLC)薄膜复合涂层。扫描电子显微镜和拉曼光谱图分析证实,获得的薄膜由sp2和sp3键杂化的碳硅氢化合物呈层状堆积而成,薄膜均匀、平整致密;制备的薄膜为典型的类金刚石结构。原子力显微镜直观地观察到,掺杂硅的类金刚石薄膜比未掺杂的平整致密。当硅含量达到20%时,得到的DLC薄膜最为平整致密,无铬化学转化膜层均被含硅的DLC薄膜覆盖。性能测试实验表明,将化学转化膜作为中间过渡层并采用PECVD沉积含硅的DLC薄膜明显提高了镁合金基体与其的结合强度,同时也大幅度提高了镁合金的耐磨、耐高温和耐蚀性。
中图分类号:
TB34